Serie SiC
Serie SiC
INTRODUCCIÓN

Tamaño Reducido en un 46%

MOS de Carburo de Silicio (SiC)
En los sistemas tradicionales de calidad de energía en baja tensión (415 V), los dispositivos de conmutación suelen usar IGBT basados en silicio. La nueva generación de materiales de carburo de silicio (SiC) ofrece muchas ventajas frente al silicio (Si), como menores pérdidas y tamaño reducido. Con los avances tecnológicos, la capacidad de potencia de los MOS SiC ha crecido y se aplica ampliamente en vehículos eléctricos, almacenamiento de energía y gestión de calidad eléctrica.
Con el despliegue a gran escala de la capacidad de producción nacional de SiC en 2025 y la reducción de los costos de los dispositivos SiC, iKonMac ha adoptado la tecnología de sujeción activa más avanzada del sector, tecnología de conmutación suave y tecnología innovadora propia, combinadas con dispositivos SiC, para lanzar el equipo de calidad de energía SiC de 415V (304V–456V). En comparación con los productos actuales basados en IGBT de silicio, ofrece el doble de fiabilidad y velocidad de respuesta, y el tamaño del módulo de potencia se ha reducido en un 46%.
INTRODUCCIÓN

Tamaño Reducido en un 46%

MOS de Carburo de Silicio (SiC)
En los sistemas tradicionales de calidad de energía en baja tensión (415 V), los dispositivos de conmutación suelen usar IGBT basados en silicio. La nueva generación de materiales de carburo de silicio (SiC) ofrece muchas ventajas frente al silicio (Si), como menores pérdidas y tamaño reducido. Con los avances tecnológicos, la capacidad de potencia de los MOS SiC ha crecido y se aplica ampliamente en vehículos eléctricos, almacenamiento de energía y gestión de calidad eléctrica.
Con el despliegue a gran escala de la capacidad de producción nacional de SiC en 2025 y la reducción de los costos de los dispositivos SiC, iKonMac ha adoptado la tecnología de sujeción activa más avanzada del sector, tecnología de conmutación suave y tecnología innovadora propia, combinadas con dispositivos SiC, para lanzar el equipo de calidad de energía SiC de 415V (304V–456V). En comparación con los productos actuales basados en IGBT de silicio, ofrece el doble de fiabilidad y velocidad de respuesta, y el tamaño del módulo de potencia se ha reducido en un 46%.
DIMENSIONES
Vista Frontal
Vista Trasera
Vista Lateral
Vista Superior
DIMENSIONES
Vista Frontal
Vista Trasera
Vista Lateral
Vista Superior
PARÁMETROS
Nivel de Voltaje |
304V-456V |
Capacidad del Módulo |
Filtro Armónico Activo: 150 Amperios Generador Estático de Vares: 100 kVar |
Tamaño del Módulo (AnAlP) |
480*200*530 |
600*800*2200 (Capacidad Máxima por Gabinete) |
750A o 500 kVar |
Número de Módulos en Paralelo |
12 |
Frecuencia de Operación |
50Hz / 60Hz (-10% ~ +10%) |
Transformador de Corriente (TC) |
100 : 5 ~ 10000 : 5 |
Controlador |
100% FPGA completo, con cálculo paralelo de 16 CPUs |
Compensa los Armónicos |
AHF: Armónicos de 2.º a 50.º orden SVG: Armónicos de 2.º a 25.º orden |
Eficiencia |
>98.5% |
Frecuencia de Conmutación |
80 kHz (MOSFET de Carburo de Silicio de Infineon) |
Métodos de Comunicación |
RS485, Modbus RTU, Wifi (Control Remoto) |
Software de Nivel Superior |
Sí, todos los parámetros pueden configurarse desde el software superior |
Alarma de Fallos |
Sí, se pueden registrar hasta 500 mensajes de alarma |
Monitor |
4.3” / 7” / 10” / 12” (Opcional) Soporta monitorización independiente por módulo / monitorización centralizada de todo el sistema |
Tiempo de Respuesta Completo |
≤5 ms, respuesta instantánea ≤50 μs |
Pérdida Activa |
≤1.5% |
Disipación de Calor |
Refrigeración por aire inteligente |
Ruido |
≤60dB |
Funciones de Protección |
Más de 20 tipos de protección como sobretensión, subtensión, sobrecalentamiento, sobrecorriente, cortocircuito, etc |
Ubicación del TC |
Lado de la carga |
Tamaño para Montaje en Pared |
El montaje en pared tiene el mismo tamaño que el módulo |
Peso del Módulo |
30kg |
Temperatura de Operación |
-40°C ~ +60°C |
Altitud |
<5000 metros (Por encima de los 1000 metros, por cada 100 metros adicionales, la potencia se reduce en un 1%) |
Humedad Relativa |
<95%, sin condensación |
Grado de Protección (IP) |
Módulo IP20 + Capa Electrónica IP42 (Personalizable a IP54 o IP65) |
Índice de Resistencia a la Contaminación |
Nivel 2 (Personalizable a Nivel 3) |
PARÁMETROS
Nivel de Voltaje |
304V-456V |
Capacidad del Módulo |
Filtro Armónico Activo: 150 Amperios Generador Estático de Vares: 100 kVar |
Tamaño del Módulo (AnAlP) |
480*200*530 |
600*800*2200 (Capacidad Máxima por Gabinete) |
750A o 500 kVar |
Número de Módulos en Paralelo |
12 |
Frecuencia de Operación |
50Hz / 60Hz (-10% ~ +10%) |
Transformador de Corriente (TC) |
100 : 5 ~ 10000 : 5 |
Controlador |
100% FPGA completo, con cálculo paralelo de 16 CPUs |
Compensa los Armónicos |
AHF: Armónicos de 2.º a 50.º orden SVG: Armónicos de 2.º a 25.º orden |
Eficiencia |
>98.5% |
Frecuencia de Conmutación |
80 kHz (MOSFET de Carburo de Silicio de Infineon) |
Métodos de Comunicación |
RS485, Modbus RTU, Wifi (Control Remoto) |
Software de Nivel Superior |
Sí, todos los parámetros pueden configurarse desde el software superior |
Alarma de Fallos |
Sí, se pueden registrar hasta 500 mensajes de alarma |
Monitor |
4.3” / 7” / 10” / 12” (Opcional) Soporta monitorización independiente por módulo / monitorización centralizada de todo el sistema |
Tiempo de Respuesta Completo |
≤10 ms, respuesta instantánea ≤50 μs |
Pérdida Activa |
≤1.5% |
Disipación de Calor |
Refrigeración por aire inteligente |
Ruido |
≤60dB |
Funciones de Protección |
Más de 20 tipos de protección como sobretensión, subtensión, sobrecalentamiento, sobrecorriente, cortocircuito, etc |
Ubicación del TC |
Lado de la carga |
Tamaño para Montaje en Pared |
El montaje en pared tiene el mismo tamaño que el módulo |
Peso del Módulo |
30kg |
Temperatura de Operación |
-40°C ~ +60°C |
Altitud |
<5000 metros (Por encima de los 1000 metros, por cada 100 metros adicionales, la potencia se reduce en un 1%) |
Humedad Relativa |
<95%, sin condensación |
Grado de Protección (IP) |
Módulo IP20 + Capa Electrónica IP42 (Personalizable a IP54 o IP65) |
Índice de Resistencia a la Contaminación |
Nivel 2 (Personalizable a Nivel 3) |
CONTROL DE CALIDAD
Ensamblaje del Módulo IGBT
Soldadura Automática
Soldadura por Inducción
Ensamblaje
Prueba de Baja Tensión
Prueba de Alta Tensión
Prueba de Envejecimiento
Inspección Final
Embalaje
CONTROL DE CALIDAD
Ensamblaje del Módulo IGBT
Soldadura Automática
Soldadura por Inducción
Ensamblaje
Prueba de Baja Tensión
Prueba de Alta Tensión
Prueba de Envejecimiento
Inspección Final
Embalaje